Dne 31. prosince 2024, podle China Electronic Materials Industry Association, Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd., dceřiná společnost China Electronics Technology Semiconductor Materials Co., Ltd., nedávno úspěšně vyvinula 12palcový (300 mm) vysokotlaký čistý poloizolační monokrystalický substrát karbidu křemíku a úspěšně vyvinul 12palcový monokrystalický substrát karbidu křemíku typu N ve stejném čas.

Pokud jde o výstavbu kapacity, projekt Shuoke Crystal Silicon Carbide Phase II prošel kolaudací v říjnu 2024, což znamenalo oficiální zahájení výroby projektu. Očekává se, že dokončení projektu fáze II přinese společnosti Shuoke Crystal dalších 200 000 6-8palcových substrátů z karbidu křemíku ročně, včetně 200 000 monokrystalických substrátů karbidu křemíku typu N ročně a 25 000 substrátů s vysokou čistotou ročně.

Pokud jde o 8palcový pokrok, společnost Shuoke Crystal vyvinula 8palcové krystaly karbidu křemíku v srpnu 2021 a poté v lednu 2022 dosáhla společnost Shuoke Crystal v malém měřítku výroby 8palcových leštících destiček z karbidu křemíku typu N. Zvětšení velikosti plátku znamená, že na každém plátku lze vyrobit více čipů, čímž se zlepší efektivita výroby. Nejenže snižuje výrobní náklady na jeden čip, ale také optimalizuje celkové výrobní náklady. Proto jsou velkorozměrové oplatky ekonomicky efektivnější a přinášejí výrobcům větší konkurenční výhody.

V současné době se velké oplatky staly běžným cílem velkých výrobců. Kromě Shuoke Crystal uvedla společnost Tianyue Advanced dne 13. listopadu 2024 na trh 12palcový substrát z karbidu křemíku typu N, což znamená, že průmysl karbidu křemíku oficiálně vstoupil do éry substrátů z karbidu křemíku ultra velkých rozměrů. Přestože se oblast substrátů z karbidu křemíku v současné době transformuje z 6 palců na 8 palců, budoucí vývoj na 12 palců má vysokou viditelnost.